EBARA荏原 CMP設備 F-REX300XA

EBARA荏原 CMP設備 F-REX300XA

CMP設備，即化學機械拋光（Chemical Mechanical Planarization）設備，是一種用于半導體制造、光學元件加工和材料科學領域的高精度表面處理設備。CMP技術通過化學腐蝕和機械研磨的結合，實現對材料表面的全局平坦化處理，是半導體晶圓制造中不可或缺的關鍵工藝。

工作原理

CMP設備的核心工作原理是利用化學腐蝕和機械研磨的協同作用，去除材料表面的不平整部分。具體過程如下：

化學作用：拋光液中的化學試劑與材料表面發(fā)生反應，生成一層易于去除的軟化層。

機械作用：拋光墊在壓力下旋轉，通過磨料顆粒的摩擦作用去除軟化層，實現表面平坦化。

清洗與干燥：拋光完成后，通過清洗和干燥步驟去除殘留的拋光液和顆粒，確保表面潔凈。

應用領域

半導體制造：用于晶圓制造中的多層布線、淺溝槽隔離（STI）和銅互連工藝。

光學元件加工：用于透鏡、棱鏡等光學元件的表面拋光。

材料科學：用于新材料研發(fā)中的表面處理和分析。