本公司主要經(jīng)營:西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列,觸摸屏6AV,DP接頭,6XV總線電纜,通訊模塊6GK系列,SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090,C98043等系列,6SE70,MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝,質(zhì)保一年
6ES7138-4HA00-0AB0FB14和FB15是異步通訊功能。這些模塊的運(yùn)行可能跨越多個(gè)OB1循環(huán)。通過輸入?yún)?shù)REQ激活FB14或FB15。DONE、NDR或ERROR表明作業(yè)結(jié)束。PUT和GET可以同時(shí)通過連接進(jìn)行通信。。新產(chǎn)品集成了4路輸出,每路輸出的電流為5A,且每路輸出的電壓均可在電源運(yùn)行時(shí)手動調(diào)節(jié),或者通過軟件和控制器實(shí)行遠(yuǎn)程調(diào)節(jié),調(diào)節(jié)范圍為4V至28V,因此無需額外電源來支持5V或12V電壓的設(shè)備。5.模擬量輸入模塊:SM331;為實(shí)現(xiàn)對8路模擬量數(shù)據(jù)采集,輸入信號可以是電流信號、電壓信號、熱電偶輸入、熱電阻輸入,可根據(jù)不同的應(yīng)用場合對模塊進(jìn)行設(shè)置。
絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 是由 MOSFET 和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件 , 其輸入極為 MOSFET, 輸出極為 PNP 晶體管 , 因此 , 可以把其看作是 MOS 輸入的達(dá)林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn) , 既具有 MOSFET 器件驅(qū)動簡單和快速的優(yōu)點(diǎn) , 又具有雙極型器件容量大的優(yōu)點(diǎn) , 因而 , 在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
在中大功率的開關(guān)電源裝置中 ,IGBT 由于其控制驅(qū)動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點(diǎn) , 已逐步取代晶閘管或 GTO 。但是在開關(guān)電源裝置中 , 由于它工作在高頻與高電壓、大電流的條件下 , 使得它容易損壞 , 另外 , 電源作為系統(tǒng)的前級 , 由于受電網(wǎng)波動、雷擊等原因的影響使得它所承受的應(yīng)力更大 , 故 IGBT 的可靠性直接關(guān)系到電源的可靠性。因而 , 在選擇 IGBT 時(shí)除了要作降額考慮外 , 對 IGBT 的保護(hù)設(shè)計(jì)也是電源設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)考慮的一個(gè)環(huán)節(jié)。
IGBT:
1、可以等效為(或理解為):場效應(yīng)管與大功率三極管組成的復(fù)合管。
2、特性類似于場效應(yīng)管。輸入阻抗非常高,輸出阻抗低,驅(qū)動功率非常小,主要是結(jié)電容引起的驅(qū)動電流、放大倍數(shù)高。
3、開關(guān)頻率較高,耐壓高、通流能力強(qiáng)(額定電流大)。
4、主要用于:變頻器(逆變)、電磁爐,中、大功率逆變、氬弧焊機(jī)等、高頻電源
IGBT模塊FD300R12KE3
IGBT模塊CM400HA-24A
IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1
IGBT模塊6SY7000-0AC37
IGBT模塊FZ1200R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC77
IGBT模塊FF150R12KE3G
IGBT模塊1MBI300SA-120B-52
IGBT模塊1MBI200SA-120B-52
IGBT模塊SKIIP 11NAB063T42
IGBT模塊FF200R12KE3
IGBT模塊BSM25GP120
IGBT模塊FZ1000R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC80
IGBT模塊6SY7000-0AD33
IGBT模塊FZ1000R16KF4
IGBT模塊6SY7000-0AD04
IGBT模塊6SY7000-0AC85
IGBT模塊SKM200GB128D
IGBT模塊FZ2400R17KE3
6ES7138-4HA00-0AB0請注意,輸入電壓允許的長期*值為12V,短暫(*多1秒)值為30V。 自由分配地址的優(yōu)點(diǎn):因?yàn)槟K之間沒有地址間隙,就可以優(yōu)化地使用可用地址空間。具有MPI接口或一個(gè)組合MPI/DP接口的CPU只在全部復(fù)位之前保留接口所采用的當(dāng)前地址和波特率。
IGBT 的等效電路如圖 1 所示。由圖 1 可知 , 若在 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓 , 則 MOSFET 導(dǎo)通 , 這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通 ; 若 IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為 0V, 則 MOSFET 截止 , 切斷 PNP 晶體管基極電流的供給 , 使得晶體管截止
由此可知 ,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定:
—— IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓 ;
如果 IGBT 柵極與發(fā)射極之間的電壓 , 即驅(qū)動電壓過低 , 則 IGBT 不能穩(wěn)定正常地工作 , 如果過高過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則 IGBT 可能*性損壞 ; 同樣 , 如果加在 IGBT 集電極與發(fā)射極允許的電壓過集電極-發(fā)射極之間的耐壓 , 流過 IGBT 集電極-發(fā)射極的電流過集電極-發(fā)射極允許的*電流 ,IGBT 的結(jié)溫過其結(jié)溫的允許值 ,IGBT 都可能會*性損壞。
3 柵極串聯(lián)電阻對柵極驅(qū)動波形的影響
柵極驅(qū)動電壓的上升、下降速率對 IGBT 開通關(guān)斷過程有著較大的影響。 IGBT 的 MOS 溝道受柵極電壓的直接控制,而 MOSFET 部分的漏極電流控制著雙極部分的柵極電流,使得 IGBT 的開通特性主要決定于它的 MOSFET 部分,所以 IGBT 的開通受柵極驅(qū)動波形的影響較大。 IGBT 的關(guān)斷特性主要取決于內(nèi)部少子的復(fù)合速率,少子的復(fù)合受 MOSFET 的關(guān)斷影響,所以柵極驅(qū)動對 IGBT 的關(guān)斷也有影響。
在高頻應(yīng)用時(shí),驅(qū)動電壓的上升、下降速率應(yīng)快一些,以提高 IGBT 開關(guān)速率降低損耗。
IGBT模塊BSM300GA170DN2S
IGBT模塊6SY7000-0AC61
IGBT模塊1MBI400NA-120-02
IGBT模塊6SY7000-0AF07
IGBT模塊SKM400GA124D
IGBT模塊FZ800R16KF4
IGBT模塊FZ3600R17HE4
IGBT模塊A5E02507176
IGBT模塊FZ3600R17HE4P
IGBT模塊FZ2400R17HE4P_B9
IGBT模塊FZ1800R12KF4_S1
IGBT模塊6SY7000-0AD51
IGBT模塊FZ1600R17HP4_B2
IGBT模塊FZ1200R17KE3_S1
IGBT模塊FZ1200R17KE3
IGBT模塊FZ1200R17HE4P
IGBT模塊FZ1200R16KF4
IGBT模塊FZ1200R12KL4C
IGBT模塊BSM75GD120DN2
IGBT模塊BSM50GD120DN2G
6ES7138-4HA00-0AB0技術(shù)功能擴(kuò)展模塊有輸入/輸出擴(kuò)展、熱電偶/熱電阻輸入擴(kuò)展和通訊擴(kuò)展三種類型,通過總線連接器(插件)和CPU模塊連接。
2 保護(hù)措施
在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí) , 應(yīng)針對影響 IGBT 可靠性的因素 , 有的放矢地采取相應(yīng)的保護(hù)措施。
2 . 1 IGBT 柵極的保護(hù)
IGBT 的柵極-發(fā)射極驅(qū)動電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅(qū)動電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極-發(fā)射極有電流流過。這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí) , 可能會使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動過程中使得柵極回路斷開 , 在不被察覺的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會損壞。為防止此類情況發(fā)生 , 應(yīng)在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復(fù)合體 , 特別是其柵極為 MOS 結(jié)構(gòu) , 因此除了上述應(yīng)有的保護(hù)之外 , 就像其他 MOS 結(jié)構(gòu)器件一樣 ,IGBT 對于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對 IGBT 進(jìn)行裝配焊接作業(yè)時(shí)也必須注意以下事項(xiàng):
2 集電極與發(fā)射極間的過壓保護(hù)
過電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況 , 一種是施加到 IGBT 集電極-發(fā)射極間的直流電壓過高 , 另一種為集電極-發(fā)射極上的浪涌電壓過高。
2.2.1 直流過電壓
直流過壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或 IGBT 的前一級輸入發(fā)生異常所致。解決的辦法是在選取 IGBT 時(shí) , 進(jìn)行降額設(shè)計(jì) ; 另外 , 可在檢測出這一過壓時(shí)分?jǐn)?IGBT 的輸入 , 保證 IGBT 的安全。
2.2.2 浪涌電壓的保護(hù)
因?yàn)殡娐分蟹植茧姼械拇嬖?/FONT> , 加之 IGBT 的開關(guān)速度較高 , 當(dāng) IGBT 關(guān)斷時(shí)及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時(shí) , 就會產(chǎn)生很大的浪涌電壓 Ldi/dt, 威脅 IGBT 的安全。
由以上分析可知,柵極串聯(lián)電阻和驅(qū)動電路內(nèi)阻抗對 IGBT 的開通過程影響較大,而對關(guān)斷過程影響小一些,串聯(lián)電阻小有利于加快關(guān)斷速率,減小關(guān)斷損耗,但過小會造成 di/dt 過大,產(chǎn)生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯(lián)電阻要根據(jù)具體設(shè)計(jì)要求進(jìn)行全面綜合的考慮。
柵極電阻對驅(qū)動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時(shí)會造成脈沖振蕩,過大時(shí)脈沖波形的前后沿會發(fā)生延遲和變緩。 IGBT 的柵極輸入電容 Cge 隨著其額定電流容量的增加而增大。為了保持相同的驅(qū)動脈沖前后沿速率,對于電流容量大的 IGBT 器件,應(yīng)提供較大的前后沿充電電流。為此,柵極串聯(lián)電阻的電阻值應(yīng)隨著 IGBT 電流容量的增加而減小。
6ES7138-4HA00-0AB0要求:使用組態(tài)包FM353V2.1或組態(tài)包FM354V2.1以及STEP7版本V3.1或更高版本。 設(shè)置步驟請參考《S7-200可編程控制器系統(tǒng)手冊》第4章PLC的基本概念->S7-200的特性->S7-200允許您設(shè)置停止模式下的數(shù)字量輸出狀態(tài) 2)NPN/PNP輸出的傳感器,能否接到S7-200CPU上? S7-200能否使用兩線制的數(shù)字量(開關(guān)量)傳感器?通訊模板 6ES7340-1AH01-0AE0CP340通訊處理器(RS232) 6ES7340-1BH00-0AE0CP340通訊處理器(20mA/TTY) 6ES7340-1CH00-0AE0CP340通訊處理器(RS485/RS422) 6ES7341-1AH01-0AE0CP341通訊處理器(RS232) 6ES7341-1BH01-0AE0CP341通訊處理器(20mA/TTY) 6ES7341-1CH01-0AE0CP341通訊處理器(RS485/RS422) 6ES7341-1AH00-8BA0CP341通訊模塊配置軟件包 6ES7870-1AA01-0YA0可裝載驅(qū)動MODBUSRTU主站 6ES7870-1AB01-0YA0可裝載驅(qū)動MODBUSRTU從站 6ES7392-1BJ00-0AA0CP342-5通訊模塊 6GK7342-5DF00-0XE0CP342-5光纖通訊模塊 6GK7343-5FA01-0XE0CP343-5通訊模塊 6GK7343-1EX11-0XE0CP343-1以太網(wǎng)通訊模塊 6GK7343-1EX21-0XE0CP343-1以太網(wǎng)通訊模塊 6GK7343-1GX20-0XE0CP343-1IT以太網(wǎng)通訊模塊 6GK7343-1HX00-0XE0CP343-1PNPROFINET以太網(wǎng)通訊模塊 機(jī)柜固定位置 2.2.4參考電位接地或浮動參考電位的S7-300安裝 在一個(gè)參考電位接地的S7-300組態(tài)中,所產(chǎn)生的干擾電流將通過接地導(dǎo)線或接地消除。
德國惠朋VIPA 214-2BS33接線圖:http://txq.testmart.cn/
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