本公司主要經營:西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列,觸摸屏6AV,DP接頭,6XV總線電纜,通訊模塊6GK系列,SITOP電源6EP系列。變頻調速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090,C98043等系列,6SE70,MM4系列及變頻調速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產品全新原裝,質保一年。
6ES7231-5QD32-0XB03.開關量輸入模塊:SM321;可進行32路開關量的檢測,輸入信號為24V有效,若輸入為無源觸點,可利用電源模塊提供24V驅動信號。在應用模板中有些模板毋需設置便可直接使用,如開關量I/O模板;而一些多用途模板以及功能模板則需要對模板進行準確的設置。模板的設定方式包括硬件設定和軟件設定兩部分,需要聯(lián)合使用才能使模板正常工作。 (3)系統(tǒng)中集成的路由功能 TIA中的各種網絡可以進行互聯(lián)。 注意事項:在關聯(lián)通道的數(shù)據(jù)塊中,必須預先將數(shù)據(jù)雙字DBD14(LOAD_VAL)設置為初始值(如L#0)。
柵極過電壓、過電流防護
傳統(tǒng)保護模式:防護方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設置一些保護元件,如下圖的電阻RGE的作用,是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2,是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。在這些應用中,IGBT通常是以模塊的形式存在,由IGBT與FWD(續(xù)流芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模半導體產品。使用模塊的優(yōu)點是IGBT已封裝好,安裝非常方便,并且外殼上具有散熱裝置,大功率工作時散熱快。另外,還有實現(xiàn)控制電路部分與被驅動的IGBT之間的隔離設計,以及設計適合柵極的驅動脈沖電路等。然而即使這樣,在實際使用的工業(yè)環(huán)境中,以上方案仍然具有比較高的產品失效率——有時甚至會出5%。相關的實驗數(shù)據(jù)和研究表明:這和瞬態(tài)浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關系,而穩(wěn)壓管在此的響應時間和耐電流能力遠遠不足,從而導致IGBT過熱而損壞。
存儲模塊6DD1610-0AG16ES7231-5QD32-0XB0一個單機架上的全部模塊的背板總線上電流不過以下數(shù)值:另一部分是負載存儲區(qū),用于存儲用戶定義的各種數(shù)據(jù),其中4K字節(jié)可無電池后備保護接地導線的*小截面積為10mm2。 表2-7模式選擇開關的位置含義 關于CPU操作模式的詳細信息,見《STEP7在線幫助》及《安裝手冊》“調試”“測試功能”和“診斷和故障排除”。
目前,在使用和設計IGBT的過程中,基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大,系統(tǒng)龐大,但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。瞬雷電子公司利用在半導體領域的生產和設計優(yōu)勢,結合瞬態(tài)抑制二極管的特點,在研究IGBT失效機理的基礎上,通過整合系統(tǒng)內外部來突破設計瓶頸。本文將突破傳統(tǒng)的保護方式,探討IGBT系統(tǒng)設計的解決方案。
在較大輸出功率的場合,比如工業(yè)領域中的、UPS電源、EPS電源,新能源領域中的風能發(fā)電、太陽能發(fā)電,新能源汽車領域的充電樁、電動控制、車載里,隨處都可以看到IGBT的身影。
IGBT失效場合:來自系統(tǒng)內部,如電力系統(tǒng)分布的雜散電、電機感應電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部,如電網波動、電力線感應、浪涌等。歸根結底,IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。
F4-150R12KS4
F4-150R12KS4
F4-100R12KS4
F4-100R06KL4
F3L300R07PE4
DZ800S17K3
DZ600N12K
DP15H1200T
DP10H1200T
DM2G400SH6N
DM2G400SH6A
DM2G300SH6N
DM2G300SH12A 使用IGBT的時候,首先要關注原廠提供的數(shù)據(jù)、應用手冊。在數(shù)據(jù)手冊中,尤其要關注的是IGBT重要參數(shù),如靜態(tài)參數(shù)、動態(tài)參數(shù)、短參數(shù)、熱性能參數(shù)。這些參數(shù)會告知我們IGBT的*值,就是*不能越的。設計完之后,在工作時 IGBT的參數(shù)也是同樣需要保證在合理數(shù)據(jù)范圍之內。
DM2G200SH6N
DM2G150SH12A
DM2G100SH6N
DIM800NSM33-F076
DIM800NSM33-F011
DF300R12KE3
DDB6U84N16RR
DDB6U144N16RR
DDB6U144N16R
DDB6U134N16RR
DDB6U104N16RR
6ES7231-5QD32-0XB034:以將2線制傳感器連接到緊湊型CPU的模擬輸入端嗎?312IFM至318-2DP有鑰匙選擇開關
IGBT 的柵極-發(fā)射極驅動電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅動電路中應當設置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發(fā)射極間開路 , 而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極-發(fā)射極有電流流過。這時若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時 , 可能會使 IGBT 發(fā)熱甚至損壞。如果設備在運輸或振動過程中使得柵極回路斷開 , 在不被察覺的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會損壞。為防止此類情況發(fā)生 , 應在 IGBT 的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應盡量靠近柵極與發(fā)射極。
在新能源汽車中,IGBT約占電機驅動系統(tǒng)成本的一半,而電機驅動系統(tǒng)占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,是除之外成本第二高的元件,也決定了整車的能源效率。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復合體 , 特別是其柵極為 MOS 結構 , 因此除了上述應有的保護之外 , 就像其他 MOS 結構器件一樣 ,IGBT 對于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對 IGBT 進行裝配焊接作業(yè)時也必須注意以下事項:
—— 在需要用手接觸 IGBT 前 , 應先將人體上的靜電放電后再進行操作 , 并盡量不要接觸模塊的驅動端子部分 , 必須接觸時要保證此時人體上所帶的靜電已全部放掉 ;
—— 在焊接作業(yè)時 , 為了防止靜電可能損壞 IGBT, 焊機一定要可靠地接地。
EndFragment-->A5E01283291原裝
A5E01283282-001驅動板
6SE7041-2WL84-1JC0觸發(fā)板
6SE7041-2WL84-1JC1驅動板
電阻模塊A5E00281090
A5E00682888
A5E00194776
6SE7038-6GK84-1JC2驅動板
6SL3162-1AH00-0AA0
A5E01540278排線連接線
A5E01540284連接線
A5E00281090電阻模塊
CUR板C98043-A1680-L1
控制板6SE7090-0XX85-1DA0
6SL3040-1MA00-0AA0控制單元
6SE7033-7EG84-1JF0板驅動板
6SE7035-1EJ84-1JC0驅動板
6SE7090-0XX84-6AD5控制板
6SY7000-0AC07
霍爾傳感器ES2000-9725
6ES7231-5QD32-0XB0④、功能塊(FB):是程序的另一種基本模塊,它的應用范圍與功能函數(shù)基本相同;所不同的是功能塊有自己的背景數(shù)據(jù)塊,它與定義的形式參數(shù)相對應,用于存儲這些參數(shù)的數(shù)值。并且允許在功能塊內定義自己的靜態(tài)變量,這些變量全程有效,但不允許其它程序塊訪問。初步編輯開關有3個位置,其含義如表2-7所列。TIA采用OPC作為訪問過程數(shù)據(jù)的標準接口,通過該接口,可以很容易地建立所有基于PC的自動化系統(tǒng)與辦公應用之間的連接,而不論它們所處的物理位置如何。
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