可控硅測試儀KC-2

KC-2型可控硅測試儀簡介

一、概述

　　KC-2型可控硅測試儀（又名：全系列塑封可控硅、可控硅光耦測試儀），是2005年新研究設計的

一種新穎的數字顯示式多功能半自動可控硅和可控硅光電耦合器參數測試裝置。

　　１、它可以測量小至TO-92封裝大至TO-3P封裝的各種電流等級的塑封單、雙向可控硅（晶閘管）。

　　２、專門設計了0-1O00uA的觸發(fā)電流量程，可以直接測量MCR100-6等微安級觸發(fā)電流的可控硅。

　?。场⒖梢詼y量DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控

硅輸出的光電耦合器。

　?。?、可以測量200A以下的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊。

　?。?、測試觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓時無需人工調節(jié)，可控硅插入測試座后儀器會自動的調節(jié)至觸發(fā)值，并穩(wěn)

定的顯示觸發(fā)電流 IGT / 觸發(fā)電壓 VGT。

　?。丁y試可控硅耐壓參數時只需一次性調節(jié)好高輸出電壓值，以后每測一個管子只要按下高壓按鈕即

可顯示該可控硅的耐壓值。

　　該儀器主要用于可控硅使用廠家對可控硅元件的質量檢驗、參數的配對、可控硅設備的維修之用。儀器

還可以廣泛的應用于對多種電子元器件的高低壓耐壓的測試。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準確、使用安

全方便。

二、主要技術性能

　　1、可控硅觸發(fā)電流IGT 測量范圍： 6—1000uA ，0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　2、可控硅觸發(fā)電壓VGT測量范圍： 0—5V， 精度：≤5 % 。

　　3、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電流IFT測量范圍：0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % 。

　　4、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電壓VFT測量范圍：0—3V 精度：≤5 % 。

　　5、可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向不重復峰值電壓VDSM/VRSM測量范圍： 0—2KV精度：≤3 % 。

　　6、可控硅和可控硅光耦輸出端，正反向重復峰值電壓VDRM/VRRM測量范圍： 0—1.6KV精度：≤5 % 。

三、主要測試功能

　　1、全系列單雙向塑封可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測試，正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM

的測試，正反向重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試。

　　2、DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的

光電耦合器輸入LED端IFT / VFT的測試，輸出端可控硅正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM的測試，正反向

重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試。

　　3、電流在200A以內，VDSM / VRSM在2KV以內，觸發(fā)電流在120mA以內的螺銓型單、雙向可控硅和可控硅

組合模塊的觸發(fā)電壓IGT、觸發(fā)電流VGT的測試，正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM的測試，正反向重復峰

值電壓VDRM / VRRM的測試。

　　4、2KV以內的各類二極管、三極管、達林頓管、整流橋、MOS場效應管、IGBT及各種模塊的耐壓測試。

　　5、2KV以內的壓敏電阻、穩(wěn)壓管、雙向觸發(fā)二極管等電壓值的測試。