對于不同的測微，其的原理和所用的裝置以及校正的基準(zhǔn)都會有著不同的要求。為了對精密電容測微進(jìn)行的儀器校正，必須對其工作原理、傳感器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和安裝進(jìn)行的分析研究；尋找適合其工作特點(diǎn)的原理和，設(shè)計(jì)完整的校正裝置校正精度的需要。因此，下面首*行精密電容測微的工作原理的分析研究。

1、精密電容測微儀的工作原理

隨著精密加工技術(shù)的誕展和天文、、工業(yè)等對零件精度要求的，加工設(shè)備和工件的測量精度要求也就愈來愈高。因此，近幾年來各行各業(yè)紛紛推出了高分辨力、高精度的測量儀器。精密測微儀是七十年代初期，部為了解決《慣性導(dǎo)航陀螺的動態(tài)》問題提出的，這是因?yàn)橥勇莸膭討B(tài)測量對陀螺的精度和氣體軸承的研究是非常重要的。其測量主要包括軸向、徑向、角剛度、軸承壓力的分布、不性以及振動等各個(gè)參數(shù)。由于被測對象是高速體，在測量時(shí)必須采用非式的；同時(shí)由于測量的是很小氣膜(約為0.2～0.3微米)，因此要求測量設(shè)備必須有很高的靈敏度和度，只有這樣才能被測對象的要求。

 精密電容測微儀，是一種非式測量微小相對位移、微小尺寸和微振動的儀器。它具有靈敏度高、動態(tài)響應(yīng)好、結(jié)構(gòu)簡單、可靠、使用方便、并能實(shí)現(xiàn)無測量等一系列優(yōu)點(diǎn)，因此在科研、儀器計(jì)量及工業(yè)生產(chǎn)加工行業(yè)中都了廣泛的應(yīng)用。電容測微儀主要應(yīng)用的方面有：各種介質(zhì)的薄膜厚度、金屬微變、微小相對位移、微小孔徑及各種截面的形狀誤差等，在精密機(jī)械工業(yè)測量方面取得了重要地位，成為納米技術(shù)和慣導(dǎo)不可缺少的設(shè)備。所以，目前各發(fā)達(dá)對電容式精密測微的發(fā)展給予了足夠的，并相繼研制出適用于各種的電容檢測設(shè)備。

 電容測微儀一個(gè)關(guān)鍵的技術(shù)問題，就是如何用的電路把電容傳感器容量的變化準(zhǔn)確地轉(zhuǎn)化為所測參量的變化，目前常用的電容轉(zhuǎn)化電路有諧振法、流橋法、調(diào)頻法、調(diào)幅法。由于電容傳感器本身與被所測對象構(gòu)成的有效電容值很小，很容易受外界的，因此無論采用那一種轉(zhuǎn)換電路都必須很好的解決漂移和雜散電容對測量的影響。下面給出一些上比較典型和成熟的電容式精密測微的生產(chǎn)廠家和技術(shù)指標(biāo)(見表2-1)。為了對各種工作原理的電容測微進(jìn)行的自校正，就必須對其轉(zhuǎn)化電路的基本工作原理和傳感器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)進(jìn)行分析討論，以便采用相應(yīng)、合理的自校正裝置對其進(jìn)行準(zhǔn)確的校正。

 2、精密電容測微儀自校正的實(shí)現(xiàn)

儀器校正中位移比例杠桿放大結(jié)構(gòu)是其基本工作原理(即經(jīng)常采用的正弦尺原理)的核心，它是通過比例放大裝置將被校傳感器測量的位移按比例放大之后，與基準(zhǔn)傳感器所測量的結(jié)果進(jìn)行比較，并將二者所測得的結(jié)果按照一定的進(jìn)行數(shù)據(jù)處理終確定其線性誤差，從而被校正傳感器的測量精度。我們只了自校正的理論基礎(chǔ)，但不同的傳感器的結(jié)構(gòu)形式和不同測量原理的設(shè)備，采用的自校正的和校正的裝置都不可能完全相同。這是因?yàn)楦軛U比例放大結(jié)構(gòu)在測量原理上存在兩大缺陷，一是杠桿結(jié)構(gòu)自身的缺點(diǎn)：杠桿支點(diǎn)的位置不確定性對位移的放大比例產(chǎn)生直接的影響；另外杠桿支點(diǎn)的轉(zhuǎn)角剛度對杠桿的撓曲變形起著決定性的作用，而且這些影響非常復(fù)雜很難用簡單的函數(shù)關(guān)系表達(dá)出來。而這種復(fù)雜的影響關(guān)系對自校正的準(zhǔn)確性的影響也很復(fù)雜，不易于修正；二是比例杠桿應(yīng)用在有效面積型傳感器中的缺點(diǎn)：比例杠桿在彎曲變形時(shí)，對于被校正具有有效測量截面的傳感器而言，其位移變化存在著正弦尺的原理誤差，在對這類傳感器進(jìn)行儀器校正時(shí)必須充分考慮其對儀器校正精度的影響。對于任何形式的精密電容測微儀，由于其所使用的電容傳感器都具有一定的有效測量面積，采用自校正進(jìn)行校正時(shí)，上述杠桿比例放大結(jié)構(gòu)的兩種影響都是不容忽視的。根據(jù)上述儀器校正基本工作原理，對具有有效測量面積類型的傳感器進(jìn)行自校正時(shí)，必須對其自校正裝置進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)，具體實(shí)驗(yàn)裝置如圖2-8所示。該自校正實(shí)驗(yàn)裝置采用了兩個(gè)坡度相同的比例斜塊，當(dāng)二者發(fā)生相對運(yùn)動時(shí)，即可放大(或縮小)在其相互垂直方向上的位移，以此實(shí)現(xiàn)自校正中被測傳感器測量距離放大(或縮小)的目的。采用這種位移比例放大(或縮小)裝置，在接個(gè)運(yùn)動中既沒有支點(diǎn)的位置精度的影響也沒有撓曲變形的比例非線性，從原理上解決了比例杠桿結(jié)構(gòu)對有效面積類型傳感器自校正精度的影響。

根據(jù)電容測微儀傳感器的結(jié)構(gòu)形式特點(diǎn)和安裝的特殊要求，采用斜面位移比例放大結(jié)構(gòu)非常適合。因?yàn)樾泵媸轿灰票壤糯笱b置，其比例放大倍數(shù)是由兩相互斜面的坡度來決定，只要改變斜面坡度值的大小，就可以實(shí)現(xiàn)任意比例放大倍數(shù)。另外，采用這種結(jié)構(gòu)位移比例放大系數(shù)在整個(gè)測量中非常，因此可以大大的傳感器自校正的準(zhǔn)確度和性。在圖2-8的自校正裝置原理圖中，以直徑為由3mm的單極板電容傳感器A和B為例進(jìn)行自校正。傳感器A可以通過裝置改變其與被測面之間的距離，以便對傳感器不同的測量范圍段進(jìn)行校正。具體的校正是壓電驅(qū)動器推動比例斜面位移使基準(zhǔn)傳感器由測量的初始位置變化到滿量程，與此同時(shí)計(jì)算機(jī)采集傳感器A和B的變化量，實(shí)現(xiàn)校正的自動數(shù)據(jù)采集。由于比例斜面的放大作用被校正傳感器只能校正其滿量程的l/n。之后壓電驅(qū)動器返回到基準(zhǔn)傳感器的初始位置，同時(shí)被校正傳感器到剛才校正的后一點(diǎn)的位置，進(jìn)行下一個(gè)1/n量程的儀器校正，依次進(jìn)行n次即可完成一個(gè)校正循環(huán)。另外從2-l節(jié)的推導(dǎo)可以看出，n值取的愈大在校正的中基準(zhǔn)傳感器對被測傳感器誤差的放大作用愈大，校正的精度就會愈高。但是n值愈大在校正中基準(zhǔn)傳感器安裝的愈多，進(jìn)行一次完整的校正的時(shí)間就會愈長，這樣由于安裝和校正的漂移引起的校正誤差就會愈大。由于上述原因，如果n值取得太大，反而會校正的準(zhǔn)確性。因此，在實(shí)際n值的選取中，必須進(jìn)行的考慮選取一個(gè)折衷數(shù)值。

微驅(qū)動器作為一種能產(chǎn)生微米、納米級的微型裝置，為微機(jī)械提供動能，已成為微機(jī)械研究的一個(gè)重要支柱。由于它的輸出能產(chǎn)生微米、納米級的操作，因此在工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域中了廣泛的應(yīng)用和推廣。近年來，國內(nèi)外研究的微驅(qū)動器，按其工作原理大致可分為靜電、電磁、壓電、形狀記憶合金、熱和光驅(qū)動、導(dǎo)驅(qū)動等類型，其中壓電型驅(qū)動器是利用壓電陶瓷的逆壓電效應(yīng)設(shè)計(jì)而成，是一種*的微位移器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、響應(yīng)快、分辨力高、控制簡單、沒有問題等優(yōu)點(diǎn)，是的微位移器件。壓電驅(qū)動器的上述諸特點(diǎn)賦予了它廣闊的應(yīng)用前景和實(shí)用價(jià)值，故了國內(nèi)技人員的極大關(guān)注。壓電陶瓷是具有壓電效應(yīng)的壓電材料，在經(jīng)過極化處理的陶瓷體上沿其方向施加一個(gè)機(jī)械壓力(或釋放壓力)時(shí)，陶瓷體就會產(chǎn)生充(放)電現(xiàn)象，即正壓電效應(yīng)；反之，若在陶瓷體上施加一個(gè)與極化方向相同(或相反)的電場，則會引起陶瓷體伸長(或縮短)的變形，即逆壓電效應(yīng)。我們利用壓電陶瓷的逆壓電效應(yīng)來產(chǎn)生的微位移運(yùn)動。

為了把握校正噪聲及漂移情況，進(jìn)行了如下的自校正性實(shí)驗(yàn)：在自校正的各部分連接與儀器校正完全一致的情況下，將傳感器Sa和Sb都到其滿量程一半的位置，待校正后，由計(jì)算機(jī)進(jìn)行定時(shí)定間隔采集數(shù)據(jù)。圖2-9是整個(gè)采樣15min，間隔5s采樣一次的測量結(jié)果。圖中橫坐標(biāo)表示采樣樣本數(shù)，縱坐標(biāo)表示傳感器Sa和Sb的漂移量，單位(mV)。采用該自校正中進(jìn)行儀器校正時(shí)，被校正傳感器在整個(gè)測量范圍內(nèi)校正一遍，一般約需10min。在這期間整個(gè)的變化量不過2mV(約8nm)。

在實(shí)際的儀器校正中，每個(gè)數(shù)據(jù)都是取其20次采樣的平均值，高頻成分的影響將進(jìn)一步減小。對分辨力4nm的傳感器來說，其高頻成分的影響可以忽略不計(jì)。雖然漂移情況往往隨時(shí)間的變化而變化，圖2-9是具有代表性的實(shí)例。從性實(shí)驗(yàn)的結(jié)果來看，該自校正裝置完全可以精密電容測微自校正性的要求。